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          陶瓷電容器Q值與頻率的關系

          文章出處:東莞市瓷谷電子科技有限公司 所屬分類: 知識分享

              第一類陶瓷介質電容器(如C0G)的電容量在整個可以使用的頻率范圍內基本上不隨頻率變化。

              Q值和諧振頻率是高頻/超高頻電容器用于諧振槽路時的重要指標,性能優異的高頻/超高頻電容器在這方面具有很好的表現,如“瓷谷”的C0G介質的10pF一下電容量的超高頻陶瓷電容器,其Q值在400MHz以下可以達到1000以上,實際上這個Q值是隨頻率升高而下降的,可以用損耗因數隨頻率而增加來解釋。而當頻率高到一定程度時,Q值將急劇下降(6.8pF的大約到1.5G以上后Q值開始急劇下降,這也和ESR隨頻率的上升而增加相一致。

              在這里“超高頻”主要指可以工作在超高頻,當然也可以工作在超高頻以下的各個頻率。隨著電容量的增加特性左移。實際上,更大電容量在超高頻下討論將沒有意義,如1000pF的容抗在1GHz下僅0.318Ω,而25px引線的電感為10nH,與1000pF電容諧振的頻率約為50MHz,為1GHz的1/20,也就是說,1000pF的電容器用于諧振槽路,其諧振頻率一般不會超過50MHz,在1GHz的頻率下的用途大概只能是濾波或旁路,這時Q值也就沒有意義了。

          此文關鍵字:陶瓷電容器Q值與頻率的關系,陶瓷電容器Q值,電容器

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