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          半導體瓷和高壓電容器陶瓷球的區別

          文章出處:東莞市瓷谷電子科技有限公司 所屬分類: 知識分享

              半導體瓷

                1.還原氧化型它是將高介電 常數基體(BaTiO)、(Sr, Ba) (Ti, Sn) O3等在還原氣氛中還原成半導體,然后在空氣中燒銀,陶瓷表面被氧化形成薄的絕緣層,薄絕緣層作為介質也可獲得大的比體積電容,但由于用這種介質所作的電容器的頻率特性不好,可靠性差,限制了它在高頻方面的應用。

                2.晶界層半導體瓷它是將高介電常數基體 (Ba, Sr) TiO3進行施主摻雜改性并在還原或中性氣氛中還原,然后在還原的基體上涂覆金屬氧化物并在空氣中進行熱處理,絕緣氧化物沿晶界擴散,使半導體晶粒表面氧化形成絕緣層。整個陶瓷體的介電常數達800左右,有的高達14000左右,大大提高了比體積電容。用晶界層半導體瓷為介質所制得的電容器稱為晶界層電容器。它不僅具有高比體積電容,而且頻率特性優異,可用于信訊機上作為數千兆赫的寬頻帶耦合電容,此外它的電容溫度系數小,絕緣電阻高,是性能最好的半導體電容器。此后又發現了性能更穩定、電容溫度系數小的SrTiO3系半導體陶瓷電容器。

              高壓電容器陶瓷球

                BaTiO3 陶瓷材料雖具有高介, 但在高壓下使用, 介電常數隨電壓的變化較大。SrTiO3陶瓷的介電常數雖比BaTiO3陶瓷的低,但其絕緣性能卻好得多,而且其介電常數隨電壓變化為一10%心子20% (kV/mm)。  斷由已

                這類高壓陶瓷電容器已廣泛應用于電視機、 雷達高壓電路及避雷器、斷路器等方面,最近還成功地使用于脈沖氣體激光裝置的電源中,可使設備小型化、高性能化。

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